Descripción

La memoria RAM Kingston DDR4 2666MHz 8GB Non-ECC SO-DIMM KVR26S19S8/8 es un componente de alta calidad diseñado para mejorar el rendimiento y la velocidad del sistema. Con una temperatura operativa que oscila entre los 0 y los 85 u00b0C, esta memoria ofrece un tiempo activo en fila de 32 ns y es compatible con sistemas operativos Windows. Con un ancho de tan solo 69.6 mm, este módulo cuenta con tecnología DDR4 y opera a un voltaje de memoria de 1.2 V. Su diseño consta de un único módulo de tamaño estándar (1 x 8 GB) con una latencia CAS igual a 19. Además, cumple con las certificaciones RoHS por su compromiso medioambiental al no contener halógenos en su composición. El intervalo recomendado para almacenamiento se encuentra entre -55u00b0C hasta los +100u00b0C sin afectar su funcionamiento óptimo. Este modelo no incluye ECC pero tiene capacidad suficiente para manejar aplicaciones exigentes gracias a sus clasificación como tipo uno; también posee una velocidad reloj máxima alcanzable por cada ciclo equivalente a los impresionantes valores nominales establecidos: u00a1hasta unos sorprendentes e increíbles!u00a02666 MHz Su altura total es solamenteu00a0deu00a030mm lo cual permite ser instalada fácilmente en cualquier equipo portátil o notebook ya sea nuevo o antiguo debido al factor forma standardizado denominado "260-pin SO-DIMM". Además, presenta tiempos actualización ciclo fila muy bajos (350ns), así como programación power voltage (VPP) bajo control seguro (2.5V). En resumen, si buscas una memoria RAM de alta calidad y rendimiento para tu portátil, la Kingston DDR4 2666MHz 8GB Non-ECC SO-DIMM KVR26S19S8/8 es una excelente opción. Con su diseño compacto, tecnología avanzada y certificaciones medioambientales, esta memoria ofrece un gran valor a cualquier usuario que desee mejorar el rendimiento de su equipo sin comprometer la seguridad del mismo.
Peso y dimensiones
Altura
30 mm
Ancho
69.6 mm
Detalles técnicos
Doesn't contain
Halógeno
Sustainability certificates
RoHS
Memoria
Latencia CAS
CL19
Diseño de memoria (módulos x tamaño)
1 x 8GB
Componente para
Portátil
Voltaje de memoria
1.2 V
Configuración de módulos
1024M x 64
Tiempo activo en fila
32 ns
Tipo de memoria interna
DDR4
Memoria RAM
8GB
Clasificación de memoria
1
Velocidad de memoria del reloj
2666MHz
ECC
No
Programming power voltage (VPP)
2.5 V
Tiempo de ciclo de fila
45.75 ns
Tiempo de actualización de ciclo de fila
350 ns
Requisitos del sistema
Sistema operativo Windows soportado
Si
Otras características
Factor de forma
260-pin SO-DIMM
Diseño
JEDEC standard
Si
Condiciones ambientales
Intervalo de temperatura operativa
0 – 85 °C
Intervalo de temperatura de almacenaje
-55 – 100 °C